[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

提供一种非易失性半导体存储装置，其具有动作电压种类少、可减小周边电路的电路规模的存储单元，具有：选择晶体管8，其在半导体基板1的通道两侧具有源极/漏极(3)，并且在通道上，通过厚栅极绝缘膜(4)而具有栅极电极(6)；元件分离区域(2)，形成在与选择晶体管(8)相邻的区域的半导体基板(1)上；反熔丝(9)，与元件分离区域(2)相邻，并且在半导体基板(1)上形成下部电极(27)，在元件分离区域(2)和下部电极(27)之间的区域的半导体基板(1)上，通过薄栅极绝缘膜(5)而具有上部电极(7)；和连接接触器(28)，电连接源极(3)和上部电极(7)之间，并且与源极(3)及上部电极(7)接触。

主权项

1. 一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：选择晶体管，其在半导体基板的通道两侧具有形成源极/漏极区域的扩散层，并且在上述通道上，通过第1栅极绝缘膜而具有栅极电极；元件分离区域，形成在与上述选择晶体管相邻的区域的上述半导体基板上；反熔丝，具有在上述半导体基板上形成的下部电极，并且与上述元件分离区域相邻，且在上述元件分离区域和上述下部电极之间的区域的上述半导体基板上，通过第2栅极绝缘膜而具有上部电极；以及连接接触器，电连接上述源极/漏极区域中的一方和上述上部电极之间，并且与上述源极/漏极区域中的一方及上述上部电极接触。