[发明专利]半导体制造装置有效

专利信息
申请号: 200910003808.4 申请日: 2004-01-30
公开(公告)号: CN101552230A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/208;H01L21/027;H01L21/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈 斌
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体制造装置。通过使用在基板上直接绘制布线图形或抗蚀剂图形的装置和在大气压或在大气压附近局部地进行薄膜形成和刻蚀等气相工艺的装置,实现生产线占据更少的空间、更有效地运行和提高原材料的利用率,进而削减生产成本。
搜索关键词: 半导体 制造 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:在半导体装置的制造装置的装入室内配置基板;将所述基板沿第一方向传送至第一处理室;在所述第一处理室内沿所述第一方向移动所述基板的同时,沿与所述第一方向正交的第二方向对所述基板进行第一处理;将所述基板沿所述第一方向传送至第二处理室;在所述第二处理室内沿所述第一方向移动所述基板的同时,沿与所述第一方向正交的所述第二方向对所述基板进行第二处理,其中,所述第一处理为用等离子体发生装置的等离子体处理和用液滴喷射装置的图案形成中的一方,并且,所述第二处理为所述等离子体处理和所述图案形成中的另一方。
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