[发明专利]半导体制造装置有效
申请号: | 200910003808.4 | 申请日: | 2004-01-30 |
公开(公告)号: | CN101552230A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/208;H01L21/027;H01L21/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 斌 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体制造装置。通过使用在基板上直接绘制布线图形或抗蚀剂图形的装置和在大气压或在大气压附近局部地进行薄膜形成和刻蚀等气相工艺的装置,实现生产线占据更少的空间、更有效地运行和提高原材料的利用率,进而削减生产成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:在半导体装置的制造装置的装入室内配置基板;将所述基板沿第一方向传送至第一处理室;在所述第一处理室内沿所述第一方向移动所述基板的同时,沿与所述第一方向正交的第二方向对所述基板进行第一处理;将所述基板沿所述第一方向传送至第二处理室;在所述第二处理室内沿所述第一方向移动所述基板的同时,沿与所述第一方向正交的所述第二方向对所述基板进行第二处理,其中,所述第一处理为用等离子体发生装置的等离子体处理和用液滴喷射装置的图案形成中的一方,并且,所述第二处理为所述等离子体处理和所述图案形成中的另一方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造