[发明专利]无线芯片及其制造方法有效
申请号: | 200910003822.4 | 申请日: | 2005-08-10 |
公开(公告)号: | CN101499479A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 大力浩二;丸山纯矢;田村友子;杉山荣二;道前芳隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01L27/115 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王 岳;王小衡 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本,进一步,通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本,并且更进一步,提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片,其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比,根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含:具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n-型薄膜晶体管,具有单个漏极结构的p-型薄膜晶体管,以及作为天线的导电层。 | ||
搜索关键词: | 无线 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体器件,包括:第一膜;所述第一膜上的第一绝缘膜;集成电路,所述集成电路包括所述第一绝缘膜上的天线和薄膜晶体管;覆盖在所述集成电路上的第二绝缘膜;以及覆盖在所述第二绝缘膜上的第二膜,其中第一膜与第二膜在所述集成电路外部的区域接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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