[发明专利]用于制造半导体晶圆的方法和设备无效
| 申请号： | 200910004065.2 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101503820A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | R·荣奇克;J·兰德 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王小衡 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了半导体晶圆(144)。半导体晶圆包括具有由预定图案(306)定义而来的大致上均匀结晶的本体。该半导体晶圆通过以下来制造：应用(202)脱模涂层(124)至定位装置材料(102)的上表面(118)，在脱模涂层的上表面之上施加(203)至少一种半导体材料(112)的至少一层，将定位装置材料、脱模涂层、以及至少一种半导体材料引入(204)到预定的温度梯度以形成至少一层半导体材料层的至少上表面的熔融体(126)，以及根据预定图案形成(205)至少一个局部冷点(142)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 方法 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体晶圆(144)，其包括具有由预定图案(306)定义的大致上均匀结晶的本体，所述半导体晶圆通过以下制造：施加(202)脱模涂层(124)至定位装置材料(102)的上表面(118)；在所述脱模涂层的上表面之上施加(203)至少一种半导体材料(112)的至少一层；将所述定位装置材料、脱模涂层、以及所述至少一种半导体材料引入(204)到预定的温度梯度以形成所述至少一层半导体材料层的至少上表面的熔融体(126)；以及根据所述预定图案形成(205)至少一个局部冷点(142)。
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