[发明专利]垂直配向式像素结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910004546.3 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101826530A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 蓝志杰 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种垂直配向式像素结构及其制造方法，所述像素结构包括：栅极，形成于基板上；栅极绝缘层，覆盖栅极；栅极非晶硅区，形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方；源极金属区和漏极金属区，形成于栅极非晶硅区上；有机物保护层，形成于栅极绝缘层上并覆盖源极金属区和漏极金属区，且该有机物保护层包括介层洞和复数个突起，该介层洞暴露漏极金属区的部分表面；和导电层，形成于有机物保护层上并覆盖介层洞，以及在突起之间形成狭缝。通过在有机物保护层上形成突起，避免了在非晶硅层为基底上形成突起，进而降低薄膜晶体管产生的光漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直配向式像素结构，其特征在于：所述像素结构包括栅极，形成于基板上；栅极绝缘层，覆盖栅极；栅极非晶硅区，形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方；源极金属区和漏极金属区，形成于栅极非晶硅区上；有机物保护层，形成于栅极绝缘层上并覆盖源极金属区和漏极金属区，且该有机物保护层包括介层洞和复数个突起，该介层洞暴露漏极金属区的部分表面；和导电层，形成于有机物保护层上并覆盖介层洞，以及在所述突起之间形成狭缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
