[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置有效
| 申请号： | 200910005324.3 | 申请日： | 2009-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101504915A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 坂尾洋介;上打田内健介;清水昭贵 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/00;C23C16/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置，能够控制蚀刻率的轮廓，能够抑制因处理容器等被蚀刻而引起的颗粒的产生。每当实施清洁工序(a)，利用使该清洁气体等离子体化得到的等离子体除去附着在处理容器(2)内的附着物；成膜工序(b)，利用使含碳和氟的成膜气体等离子体化得到的等离子体，在处理容器内部的暴露于等离子体的部位形成CF膜；蚀刻工序(c)，将晶片W载置在处理容器内的载置台上，利用使蚀刻气体等离子体化得到的等离子体对晶片W进行蚀刻；和在该蚀刻工序(c)之后将晶片W从处理容器搬出的工序(d)时，在工序(d)结束之后进行上述工序(a)～(d)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括：清洁工序(a)，向处理容器内供给清洁气体，利用使该清洁气体等离子体化得到的等离子体除去附着在所述处理容器内的附着物；成膜工序(b)，接着向所述处理容器内供给含有碳和氟的成膜气体，利用使该成膜气体等离子体化得到的等离子体，在所述处理容器内形成含有碳和氟的膜；蚀刻工序(c)，接着将基板载置在所述处理容器内的载置台上，向该处理容器内供给蚀刻气体，利用使该蚀刻气体等离子体化得到的等离子体对所述基板进行蚀刻；和在该蚀刻工序(c)之后将基板从所述处理容器搬出的工序(d)，在所述搬出基板的工序(d)结束之后，进行所述工序(a)～(d)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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