[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 200910005434.X | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101504943A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 田中秀宪;柴田浩平 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许 静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种可以减少电子部件的数量，可以降低整个装置的制造成本以及安装面积的半导体集成电路。在将半导体芯片单独收容在封装内，或者将半导体芯片与在周围连接的电子部件一同安装在基板上，使用绝缘材料进行注模的半导体集成电路中，具有：将一端与所述半导体芯片的外部端子连接，在另一端上连接静电保护用二极管(D1)，并且被设置在所述半导体芯片内的电流限制用电阻(R10)；以及在所述电流限制用电阻(R10)的两端之间并联连接、设置在所述半导体芯片内的熔丝(FS)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体集成电路，其将半导体芯片单独收容在封装内，或者将半导体芯片与在周围连接的电子部件一同安装在基板上、并使用绝缘材料进行注模，其特征在于，具有：将一端与所述半导体芯片的外部端子连接，在另一端上连接静电保护用二极管，并且被设置在所述半导体芯片内的电流限制用电阻；以及在所述电流限制用电阻的两端之间并联连接、设置在所述半导体芯片内的熔丝。
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