[发明专利]氮化物半导体单晶基材及其合成方法有效
| 申请号： | 200910005871.1 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101503824A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 藤原伸介;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式AlxGa1-xN(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2-0.7x)MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2；或者它具有通式AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm-1或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 基材 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种氮化物半导体单晶基材，它具有通式GaN表示的组成，其特征在于断裂韧度为1.2MPa.m1/2或更大以及表面积为20cm2或更大。
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