[发明专利]半导体器件、液晶显示板、电子设备及制造器件的方法有效
申请号: | 200910006140.9 | 申请日: | 2006-05-22 |
公开(公告)号: | CN101477985A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 田边浩;对田俊二 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/336;H01L21/265;G02F1/1362 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在电路设计所要求的阈值相等的多个晶体管中,将初始阈值为所需阈值的可接受范围的下限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值增加的电路位置处,以及将初始阈值为所需阈值的可接受范围的上限的晶体管设置在随着操作、阈值电压的绝对值减小的电路位置处。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 液晶显示 电子设备 制造 器件 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体器件,包括在操作过程中阈值电压变化的多个薄膜晶体管,所述半导体器件包括:第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是正向;以及第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是负向;其中,预先设置所述第一薄膜晶体管的初始阈值电压Vth1和所述第二薄膜晶体管的初始阈值电压Vth2,以便在规定可接受的范围内满足关系:Vth1
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的