[发明专利]含连接至子像素电极的晶体管的显示装置有效

专利信息
申请号: 200910006221.9 申请日: 2009-02-04
公开(公告)号: CN101566771A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 陆建钢;金成云;李承勋;金熙燮;高春锡;郑美惠;成始德;郑光哲 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G09G3/36;H01L21/84;H01L27/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;章社杲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种显示装置包括多个像素区域。每个像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域和升压电容器。第一子像素区域和第二子像素区域电连接至升压电容器。升压电容器使第一和第二子像素区域的电压处于不同的电压,以增加显示装置的视角。升压电容器的一个电极(耦合电极)形成在由不透明金属制成的存储电容线上方,使得在不减小像素区域的孔径比的情况下就可以形成附加的升压电容器(Cboost)。本发明还提供了其它特征。
搜索关键词: 连接 像素 电极 晶体管 显示装置
【主权项】:
1.一种显示装置,包括:第一栅极线和第二栅极线;数据线,横穿所述第一栅极线和所述第二栅极线;第一子像素电极;第一晶体管,连接至所述第一栅极线、所述数据线、和所述第一子像素电极;第二子像素电极;第二晶体管,连接至所述第一栅极线、所述数据线、和所述第二子像素电极;存储电容电极;第三晶体管,连接至所述第一栅极线和所述存储电容电极;耦合电极,形成在所述存储电容电极上方,所述耦合电极与所述第一子像素电极重叠,以形成升压电容器;以及第四晶体管,连接至所述第二栅极线、所述耦合电极和所述第二子像素电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910006221.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top