[发明专利]恒流电路无效
| 申请号： | 200910006409.3 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101510107A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 见谷真;宇都宫文靖 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够流过稳定的恒定电流的恒流电路。即使由于半导体器件的制造偏差而使NMOS晶体管(N1)和NMOS晶体管(LN2)的K值产生偏差，在电阻(R1)上产生的电压也始终成为NMOS晶体管(N1)与NMOS晶体管(LN2)的阈值电压差，在电阻(R1)上产生的电压几乎没有偏差。即使随温度变化NMOS晶体管(N1)和NMOS晶体管(LN2)的K值发生变化，在电阻(R1)上产生的电压也始终成为NMOS晶体管(N1)与NMOS晶体管(LN2)的阈值电压差，在电阻(R1)上产生的电压几乎没有变化。 | ||
| 搜索关键词： | 流电 | ||
【主权项】：
1. 一种流过恒定电流的恒流电路，其特征在于，该恒流电路具有：第二PMOS晶体管；第一PMOS晶体管，其基于所述第二PMOS晶体管的漏电流而流过漏电流；第一NMOS晶体管，在其栅极上施加基于所述第一PMOS晶体管的漏电压的电压，该第一NMOS晶体管流过与所述第一PMOS晶体管的漏电流相等的漏电流；第二NMOS晶体管，在其栅极上施加基于所述第一NMOS晶体管的栅电压的电压，该第二NMOS晶体管流过与所述第二PMOS晶体管的漏电流相等的漏电流，具有比所述第一NMOS晶体管更低的阈值电压；第一电阻，其设置在所述第二NMOS晶体管的源极与接地端子之间，产生基于所述第一NMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管的阈值电压差的电压，流过所述恒定电流。
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