[发明专利]具有光收集效果电极结构的光伏元件有效
申请号: | 200910006482.0 | 申请日: | 2009-02-18 |
公开(公告)号: | CN101807615A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 刘宗宪;秦玉玲 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种具有光收集效果电极结构的光伏元件,该光伏元件包括生长基板;III-V族化合物所形成的半导体结构位于该生长基板之上,该半导体结构具有第一表面;以及多个电极位于该第一表面上,其中任一该多个电极具有至少一平面。其主要目的为通过改变太阳电池电极的剖面形状及数量调整两电极的间距与电极的宽度,以降低太阳电池的串联电阻,且不会减少太阳光的入射量。 | ||
搜索关键词: | 有光 收集 效果 电极 结构 元件 | ||
【主权项】:
一种光伏元件,包括:生长基板;III-V族化合物所形成的半导体结构位于该生长基板之上,该半导体结构具有第一表面;以及多个电极位于该第一表面上,其中任一该多个电极具有至少一平面,该平面可改变光入射角度,并与该第一表面间具有夹角θ,其中30°<θ<90°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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