[发明专利]绝缘膜的评价方法及测量电路有效

专利信息
申请号: 200910006641.7 申请日: 2009-02-06
公开(公告)号: CN101504438A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: 津留清宏 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: G01R31/14 分类号: G01R31/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 何欣亭;王丹昕
地址: 日本千叶*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种绝缘膜的评价方法及测量电路,通过在绝缘膜上施加电流来评价绝缘击穿,能够用短时间实施电流方向为正向和反向的测量。在两组MOS二极管中,分别使一个MOS二极管的电极与另一个MOS二极管的衬底短接来形成施加电流的电路,使流入各绝缘膜的电流方向相反,从而能够沿正反两个方向施加电流。
搜索关键词: 绝缘 评价 方法 测量 电路
【主权项】:
1. 一种绝缘膜的评价方法,其特征在于,使用由如下部分构成的测量电路:由在某一导电型的半导体衬底上形成的相反导电型的第一扩散层、在所述第一扩散层上形成的第一绝缘膜和在所述第一绝缘膜上形成的第一电极构成的第一MOS二极管;由与所述第一扩散层靠近而形成的第二扩散层、在所述第二扩散层上形成的第二绝缘膜和在所述第二绝缘膜上形成的第二电极构成的第二MOS二极管;与所述第一电极及所述第二扩散层连接的第一端子;与所述第二电极及所述第一扩散层连接的第二端子;在所述第一端子与所述第二端子之间设置的电流源;以及与所述电流源并联配置的电压计,在所述第一端子与所述第二端子之间通过单向的电流,测量所述端子之间的电压变化。
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