[发明专利]半导体器件及其制法、基板处理装置和半导体制造装置

摘要

本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。本发明涉及一种半导体器件及其制法、基板处理装置和半导体制造装置。

主权项

1. 一种半导体器件，其特征在于具有：第一半导体基板，其在表面上具有多个第一凸块，该多个第一凸块用于与外部进行电连接，并具有连续且均匀平整的各表面；第二半导体基板，其在表面上具有多个第二凸块，该多个第二凸块用于与外部进行电连接，并具有通过使用刀具的切削加工所得到的连续且均匀平整的各表面，使每一个上述第一以及第二凸块的平整的上述各表面彼此相对置并连接，从而将上述第一以及第二半导体基板一体化。