[发明专利]金属-绝缘体-金属电容结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200910006933.0 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101807607A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 高新立;孙自军;李雪林 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/41;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容结构及其制作方法。金属-绝缘体-金属电容结构，设置于金属-绝缘体-金属电容凹槽中，该凹槽的深度由第一金属层与其前层金属的距离来定义，包括由沉积金属层和第一金属层形成的下电极，其中沉积金属层位于第一金属层之上；由第二金属层沉积形成的上电极；上、下两个电极之间的绝缘电介质。金属-绝缘体-金属电容结构的制作方法在制作MIM时，先蚀刻出电容凹槽及生长一层METAL(如Ti/TiN)作为电容下电极，上电极采用铜制程工艺作出。与传统MIM结构电容器相比，本发明的三维的MIM结构电容器在相同分布面积下，增加了电容器的有效面积，进而增大MIM结构电容器的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属-绝缘体-金属电容结构，其特征在于，设置于金属-绝缘体-金属电容凹槽中，该凹槽的深度由第一金属层与其前层金属的距离来定义，包括由沉积金属层和第一金属层形成的下电极，其中沉积金属层位于第一金属层之上；由第二金属层沉积形成的上电极；上、下两个电极之间的绝缘电介质。
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