[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板有效
| 申请号： | 200910006987.7 | 申请日： | 2009-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101515554A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 堀内章夫;宫坂俊次 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;彭 会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板。在半导体器件的制造方法中，把半导体芯片安装在支撑板上，使该半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧露出来。形成绝缘层以覆盖半导体芯片的设置有端子电极的一侧。形成与端子电极连接并穿透绝缘层的穿通电极。在绝缘层上形成与穿通电极连接的金属配线。形成与金属配线连接的外部端子电极。作为第二间隔的相邻外部端子电极之间的间隔大于作为第一间隔的相邻端子电极之间的间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 配线基板 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：半导体芯片安装步骤：把半导体芯片安装在支撑板上，并使所述半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧露出来；绝缘层形成步骤：形成绝缘层以覆盖所述半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧；穿通电极形成步骤：形成穿通电极，所述穿通电极与所述端子电极连接并穿透所述绝缘层；金属配线形成步骤：在所述绝缘层上形成与所述穿通电极连接的金属配线；以及外部端子电极形成步骤：在所述金属配线上形成用于使所述金属配线与外部连接的外部端子电极，其中，相邻的所述外部端子电极之间的间隔大于相邻的所述端子电极之间的间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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