[发明专利]集成半导体器件有效
| 申请号： | 200910007167.X | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101510543A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 山田浩;板谷和彦;小野塚丰;舟木英之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/498;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于 静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成半导体器件，其包括：多个半导体元件，具有不同的集成元件电路或不同的尺寸；绝缘材料，设置在所述半导体元件之间；有机绝缘膜，完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上；细薄层布线，设置在所述有机绝缘膜上，且连接所述半导体元件；第一输入/输出电极，设置在所述绝缘材料的区域上；以及第一凸起电极，形成在所述第一输入/输出电极上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种集成半导体器件，包括：多个半导体元件，具有不同的集成元件电路或不同的尺寸；绝缘材料，设置在所述半导体元件之间；有机绝缘膜，完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上；细薄层布线，设置在所述有机绝缘膜上，且连接所述半导体元件；第一输入/输出电极，设置在所述绝缘材料的区域上；以及第一凸起电极，形成在所述第一输入/输出电极上。
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