[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910007197.0 | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101728318A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 西泽厚 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。通过如下各处理来形成沟槽：去除形成在低介电常数层的侧壁上的损伤层，通过化学气相沉积(CVD)技术形成第二保护绝缘层以及通过用第二保护绝缘层覆盖低介电常数层的侧壁形成第二凹部，以及通过回蚀成形第二保护绝缘层使得沟槽具有在低介电常数层的表面上选择性地形成有第二保护绝缘层的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在形成于衬底上的包含碳的低介电常数层中以及在所述低介电常数层上形成的第一保护绝缘层中形成沟槽，其中，所述的形成所述沟槽包括：在所述第一保护绝缘层上形成抗蚀剂层，所述抗蚀剂层具有用于形成沟槽的开口图案，并且利用所述抗蚀剂层作为掩模来在所述第一保护绝缘层和所述低介电常数层中形成第一凹部；去除当形成所述第一凹部时在所述低介电常数层的所述第一凹部的侧壁上形成的损伤层；通过化学气相沉积技术在所述衬底的整个表面的上方形成第二保护绝缘层，以通过用所述第二保护绝缘层来覆盖在所述第一保护绝缘层和所述低介电常数层中的所述第一凹部的侧壁而在所述第一保护绝缘层和所述低介电常数层中形成第二凹部；以及通过回蚀来成形所述第二保护绝缘层，使得所述沟槽具有在所述低介电常数层的表面上选择性地形成有所述第二保护绝缘层的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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