[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910007226.3 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101587892A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 朴钟范;宋翰相;朴钟国 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/92;H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：穿透第一层间绝缘层并部分突出高于所述第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞；接触所述突出高于第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞的第二存储节点接触塞；接触第二存储节点接触塞顶表面的存储节点；和在所述第一层间绝缘层上形成的第二层间绝缘层，其中所述第二层间绝缘层包围第一存储节点底部区的外侧壁、突出高于第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞和第二存储节点接触塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：穿透第一层间绝缘层并部分突出高于所述第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞；与突出高于所述第一层间绝缘层的所述第一存储节点接触塞接触的第二存储节点接触塞；接触所述第二存储节点接触塞顶表面的存储节点；和在所述第一层间绝缘层上形成的第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层包围所述存储节点底部区的外侧壁、所述第二存储节点接触塞以及突出高于所述第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
