[发明专利]沟道式金属氧化物半导体元件及其制作方法

摘要

一种沟道式金属氧化物半导体元件的制作方法。在栅极介电层上，沿着栅极沟道的内壁沉积一第一多晶硅层。然后，植入第一导电型的掺杂物至位于栅极沟道底部的第一多晶硅层。接下来，沉积一掺杂有第二导电型掺杂物的第二多晶硅层覆盖第一多晶硅层。随后，施以高温工艺，使第一多晶硅层与第二多晶硅层内的掺杂物扩散，而形成一位于栅极沟道底部的第一导电型的第一掺杂区与一第二导电型的第二掺杂区。

主权项

一种沟道式金属氧化物半导体元件的制作方法，其特征在于包括：提供一基板；形成一外延层于该基板上；制作至少一栅极沟道于该外延层内；制作一栅极介电层于该栅极沟道的内壁；沿着该栅极沟道的内壁，沉积一第一多晶硅层；植入一第一导电型的掺杂物至位于该栅极沟道底部的部分该第一多晶硅层；沉积一第二多晶硅层覆盖该第一多晶硅层，该第二多晶硅层掺杂有一第二导电型的掺杂物；以及施以高温工艺，使该第一多晶硅层与该第二多晶硅层内的掺杂物扩散，形成一第一导电型的第一掺杂区与一第二导电型的第二掺杂区，该第一导电型的第一掺杂区位于该栅极沟道的底部，该第二导电型的第二掺杂区与该第一导电型的第一掺杂区之间形成一PN结电容。