[发明专利]光电二极管阵列、其制造方法和放射线检测器无效
| 申请号： | 200910007245.6 | 申请日： | 2003-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101488507A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 柴山胜己 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L21/82;H01L21/71;G01T1/164 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在光电二极管阵列(1)中，将通过从被检测光的入射面侧变薄所形成的入射面侧凹部(7)排列成阵列状，将通过从入射面的相反面侧变薄对应于形成入射面侧凹部7的区域的区域所形成的相反面侧凹部(11)排列成阵列状。通过在相反面侧凹部11的底部形成pn结(3)，将pn结型的光电二极管排列成阵列状。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 阵列 制造 方法 放射线 检测器 | ||
【主权项】：
1. 一种光电二极管阵列，其特征在于，配备：高浓度添加第1导电类型的杂质的半导体基板；连接于该半导体基板的被检测光的入射面的相反面侧设置的第1导电类型的半导体层；以及在该第1导电类型的半导体层的内部排列形成阵列状的第2导电类型的多个光检测层，所述半导体基板通过去除对应于所述光检测层的区域来形成栅格状，在所述半导体基板与所述半导体层之间，夹入蚀刻停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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