[发明专利]薄膜磁传感器有效
| 申请号： | 200910007620.7 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101520493A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 小山惠史 | 申请（专利权）人： | 大同特殊钢株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜磁传感器，其包括：GMR膜，该GMR膜具有巨磁电阻效应；以及薄膜磁轭，该薄膜磁轭由软磁材料形成并且被电连接到GMR膜的两端；其中，薄膜磁轭具有感磁方向上的去磁系数为NL的高灵敏度部分和感磁方向上的去磁系数为NH的低灵敏度部分，该低灵敏度部分与该高灵敏度部分串联地电连接，且NH＞NL。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 传感器 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜磁传感器，其包括：GMR膜，该GMR膜具有巨磁电阻效应；以及薄膜磁轭，该薄膜磁轭由软磁材料形成并且被电连接到所述GMR膜的两端；其中，所述薄膜磁轭具有感磁方向上的去磁系数为NL的高灵敏度部分和所述感磁方向上的去磁系数为NH的低灵敏度部分，所述低灵敏度部分与所述高灵敏度部分串联地电连接，且NH>NL。
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