[发明专利]非易失性半导体存储装置的制造方法和非易失性半导体存储装置

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置的制造方法及非易失性半导体存储装置。在同一硅衬底1上包括具有控制栅电极(CGs)和侧壁存储栅电极(MGs)的分裂栅型存储单元(M1A)、具有单存储栅电极(MGu)的单栅极型存储单元(M2)的非易失性半导体存储装置中，在第一区域(R1)隔着控制栅电极(ICs)形成控制栅电极(CGs)，在第一区域(R1)隔着电荷积蓄膜(IMs)形成侧壁存储栅电极(MGs)，同时在第二区域(R2)隔着电荷积蓄膜(IMs)形成单存储栅电极(MGu)。此时，侧壁存储栅电极(MGs)和单存储栅电极(MGu)由同一工序形成，控制栅电极(CGs)和侧壁存储栅电极(MGs)以电绝缘的状态相邻地配置。

主权项

1. 一种非易失性半导体存储装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：(a)准备在主面上具有第一区域和第二区域的第一导电型的半导体衬底；(b)在上述第一区域的上述半导体衬底的主面上隔着第一栅极绝缘膜而形成第一栅电极；(c)覆盖上述第一区域和上述第二区域的上述半导体衬底的主面来依次形成电荷积蓄绝缘膜和第一导体膜；以及(d)在上述工序(c)之后，对上述第一导体膜进行加工，从而在上述第一区域上形成第二栅电极，并在上述第二区域上形成第三栅电极，上述工序(c)和工序(d)在上述工序(b)之前或之后进行，在上述第一区域，上述第一栅电极和上述第二栅电极以相互电绝缘的状态彼此相邻而配置，上述第一栅电极和上述第二栅电极是在上述第一区域构成第一存储元件的要素的一部分，上述第三栅电极是在上述第二区域构成第二存储元件的要素的一部分。