[发明专利]光半导体装置

摘要

本发明提供光半导体装置，其响应的线性良好，量子效率高。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上，依次形成有n型DBR层(12)(第一导电型的分布布喇铬反射层)、低载流子浓度的i-InGaAs光吸收层(14)(光吸收层)、和p型InP窗口层(16)(第二导电型的半导体层)。在n型DBR层(12)中交替地层叠有折射率低的n型InP层(12a)(第一半导体层)和折射率高的n型InGaAs层(12b)(第二半导体层)。在n型InP层(12a)中，带隙波长大于入射光的波长λ，不吸收入射光。另一方面，在n型InGaAs层(12b)中，带隙波长小于入射光的波长λ，吸收入射光。n型InP层(12a)的光学层厚度大于n型InGaAs层(12b)的光学层厚度。

主权项

1.一种光半导体装置，其特征在于，在半导体衬底上依次形成有第一导电型的分布布喇铬反射层、光吸收层、和第二导电型的半导体层，所述第一导电型的分布布喇铬反射层具有：带隙波长大于入射光的波长的第一半导体层、和带隙波长小于入射光的波长的第二半导体层，所述第一半导体层的光学层厚度大于所述第二半导体层的光学层厚度。