[发明专利]用于非易失性存储设备的编程方法有效
| 申请号： | 200910008372.8 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101521042A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 朴起台;李永宅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于对非易失性存储设备进行编程的方法。所述方法包括：将第一编程脉冲施加到非易失性存储设备的对应字线；将第二编程脉冲施加到所述字线，其中第二编程脉冲的电压不同于第一编程脉冲的电压；以及将电压施加到连接到字线的每条位线，所述施加到每条位线的电压根据将要编程到对应存储单元的多个比特值、并响应于第一编程脉冲或者第二编程脉冲而彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性 存储 设备 编程 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于对多电平单元非易失性存储设备进行编程的方法，所述方法包括：将第一编程脉冲施加到非易失性存储设备的字线；将第二编程脉冲施加到所述字线，其中第二编程脉冲的电压电平不同于第一编程脉冲的电压电平；以及将位线电压施加到与字线相关联的相应位线，其中所述位线电压根据将要编程到与字线和位线相关联的多个存储单元的多个数据比特值、并响应于第一编程脉冲或者第二编程脉冲而变化。
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