[发明专利]重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装无效
| 申请号： | 200910009142.3 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101814469A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王玉富 | 申请（专利权）人： | 王玉富 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427;H01L23/28;H05K7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102200 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装，其特征在于所述重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装包括板状金属安装平台，所述板状金属安装平台的上面一体化配置管状金属，与所述板状金属安装平台构成蒸发室，半导体功率器件管芯焊装于所述板状金属安装平台的下表面，用树脂或塑料将由所述安装平台和半导体功率器件管芯引出的输出和控制引线固定于封装的下面。 | ||
| 搜索关键词： | 重力 循环 蒸发 冷却 半导体 功率 器件 封装 | ||
【主权项】：
一种重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装，其特征在于所述半导体功率器件封装包括板状金属安装平台，所述板状金属安装平台的上面一体化配置管状金属，与所述板状金属安装平台构成蒸发室，半导体功率器件管芯焊装于所述板状金属安装平台的下表面，用树脂或塑料将由所述安装平台和半导体功率器件管芯引出的输出和控制引线固定于封装的下面。
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