[发明专利]只读内存单元阵列结构

摘要

本发明公开了一种只读内存单元阵列结构，其包含：一延伸且连续的有源区域；一第一晶体管，形成在延伸且连续的有源区域上，第一晶体管形成一第一单一晶体管内存单元；一第二晶体管，也形成在延伸且连续的有源区域上，第二晶体管形成一第二单一晶体管内存单元，且为沿着延伸方向与第一单一晶体管内存单元最接近的内存单元；以及一隔离栅极，形成在延伸且连续的有源区域上，并介于第一晶体管与第二晶体管之间，其中隔离栅极与第一晶体管和第二晶体管的栅极实质上具有相同的结构，并提供一预定电压，以切断任何流经隔离栅极下方的延伸且连续的有源区域的一部分的有效电流。

主权项

1. 一种半导体内存单元阵列，包含：一延伸且连续的有源区域；一第一晶体管，形成在所述延伸且连续的有源区域上，所述第一晶体管形成一第一单一晶体管内存单元；一第二晶体管，也形成在所述延伸且连续的有源区域上，所述第二晶体管形成一第二单一晶体管内存单元，且为沿着延伸方向与所述第一单一晶体管内存单元最接近的内存单元；以及一隔离栅极，形成在所述延伸且连续的有源区域上，并介于所述第一晶体管与第二晶体管之间，其中，所述隔离栅极与所述第一晶体管及第二晶体管的栅极实质上具有相同的结构，并提供一预定电压，以切断任何流经所述隔离栅极下方的所述延伸且连续的有源区域的一部分的有效电流。