[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910009626.8 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101499445A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 定别当裕康 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许玉顺;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有外部连接用电极(14a)的半导体结构体(6)的下表面，形成绝缘膜(1)和金属层(3)及掩模金属层(4)，绝缘膜(1)具有比半导体结构体(6)的平面尺寸大的平面尺寸，金属层(3)及掩模金属层(4)具有连接焊盘部(2a)，在连接焊盘部(2a)形成有与外部连接用电极(14a)对应的第一开口部(5)。通过以掩模金属层(4)为掩模照射激光束，从而在与外部连接用电极(14a)对应的部分的绝缘膜(1)上形成第2开口部(17)。另外，形成经由绝缘膜(1)的第2开口部(17)将布线(3)与外部连接用电极(14a)进行连接的连接导体(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构体(6)，具有半导体衬底(8)及在该半导体衬底(8)上设置的外部连接用电极(14a)；布线(3)，具有连接焊盘部(2a)，该连接焊盘部(2a)形成有第1开口部(5a)，该第1开口部(5a)与上述半导体结构体(6)的上述外部连接用电极(14a)对应地形成；绝缘膜(7或1)，设在上述外部连接用电极(14a)与连接焊盘部(2a)之间，具有与上述第1开口部(5)连通并到达上述外部连接用电极(14)的第2开口部(17)；连接导体(21)，经由上述第1开口部(5)及上述第2开口部(17)，将外部连接用电极(14a)和上述布线(3)进行电连接；以及掩模金属层(4)，形成在上述连接导体(21)与上述布线(3)之间。
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