[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

摘要

在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。

主权项

1、一种半导体发光元件的制造方法，具有在蓝宝石衬底的结晶生长面上生长GaN系列晶体层的工序；所述蓝宝石衬底的结晶生长面形成为具有由台阶划分的凹面和凸面的凹凸面；在所述生长GaN系列晶体层的工序中，从所述凹凸面的凹面和凸面这两面生长具有相对于所述GaN系列晶体层的厚度方向倾斜的晶面并呈凸状的结晶，之后，按照让生长面平坦化的方式生长结晶，通过这些生长，让所述GaN系列晶体层的沿厚度方向延伸的错位线向横方向弯曲。