[发明专利]发光器件有效
申请号: | 200910009687.4 | 申请日: | 2004-07-14 |
公开(公告)号: | CN101483181A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G09F9/30;G09G3/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;蒋 骏 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种发光器件。本发明的目的是提供一种在不使TFT的工艺复杂化的情况下可以实现面板上载系统,并且抑制成本的发光器件。本发明的发光器件的特征是:在像素部分中提供包括发光元件和控制施加给该发光元件的电流的TFT的像素,驱动电路包括的TFT和控制施加给该发光元件的电流的TFT包括:栅电极和形成在该栅电极上的栅绝缘膜;中间夹所述栅绝缘膜和所述栅电极重叠的第一半导体膜;在该第一半导体膜上形成的一对第二半导体膜,其中,所述一对的第二半导体膜中掺杂有赋予一个导电型的杂质,且所述第一半导体膜由半晶半导体形成。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体显示器件,包括:形成在衬底上的栅电极;形成在栅电极上的栅绝缘膜;形成在栅电极上包括半晶硅的第一半导体层,在该栅电极和该第一半导体层之间夹所述栅绝缘膜;形成在第一半导体层上的第二半导体层,其中所述第二半导体层用作缓冲层;形成在第一半导体层上具有n型导电型的一对第三半导体层,在该第一半导体层和该对第三半导体层之间夹所述第二半导体层;形成在该对第三半导体层之一上的第一导电层;以及形成在该对第三半导体层的另一个上的第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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