[发明专利]衬底加热设备、加热方法以及半导体装置制造方法有效
申请号: | 200910009701.0 | 申请日: | 2009-01-23 |
公开(公告)号: | CN101499419A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 柴垣真果;土井浩志;江上明宏;佐佐木俊秋;长谷川晋也 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华工程股份有限公司;佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 柴毅敏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及衬底加热设备、加热方法以及半导体装置制造方法。本发明涉及一种具有加热衬底的传导加热器的衬底加热设备,其包括布置在传导加热器中并连接至丝极电源以产生热电子的丝极、以及使热电子在丝极和传导加热器之间加速的加速电源。丝极具有沿着与衬底同心的内圆以预定间隔形成的内周边部分、在与内圆同心且具有大于内圆的直径的外圆上以预定间隔形成的外周边部分、和通过连接各个内周边部分的端点与相对应的外周边部分的端点而形成的区域。 | ||
搜索关键词: | 衬底 加热 设备 方法 以及 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】:
1. 一种包括传导加热器的衬底加热设备,所述传导加热器布置成与处于降低压力的容器中所保持的衬底相对并且加热所述衬底,所述衬底加热设备包括:布置在所述传导加热器中并连接至丝极电源以产生热电子的丝极;和使所述热电子在所述丝极和所述传导加热器之间加速的加速电源,其中所述丝极包括:沿着与所述衬底同心的内圆以预定间隔形成的内周边部分,在与所述内圆同心且具有大于所述内圆的直径的外圆上以预定间隔形成的外周边部分,和通过连接各个内周边部分的端点和相对应的外周边部分的端点而形成的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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