[发明专利]导通微通道存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910009980.0 | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101794860A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王庆钧;林哲歆 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/21 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种导通微通道存储器(CBRAM)元件及其制造方法，其中的导通微通道存储器元件包括第一电极层、介电层、固态电解质层、第二电极层以及金属层。上述固态电解质层是位于第一电极层上，第二电极层是位于固态电解质层上，至于金属层是位于固态电解质层旁。而介电层是在固态电解质层与金属层之间。由于导通微通道存储器元件的固态电解质层旁配置有金属层，所以可在擦除过程中使金属层产生正电场，加速打断相互连接的金属细丝。 | ||
| 搜索关键词： | 导通微 通道 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导通微通道存储器元件，其特征在于：该导通微通道存储器元件包括：第一电极层；固态电解质层，设置于该第一电极层上；第二电极层，设置于该固态电解质上；金属层，设置于该固态电解质旁；以及介电层，设置于该固态电解质与该金属层之间。
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