[发明专利]一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法

摘要

本发明涉及一种可改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方法，特别涉及一种通过在硫或硒离子水溶液中进行水热处理以改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方法。该方法首先配制浓度为0.01～0.3M的硫或硒离子水溶液，然后将该溶液倒入水热釜中并将用化学浴、连续离子层吸附反应法或电沉积这些软化学法沉积的硫族半导体薄膜放置在溶液中，最后在160-240℃下对薄膜进行水热处理。与以往传统的400℃以上高温下，在H₂S、H₂Se、惰性气氛或真空中对薄膜进行热处理的方法相比，本发明反应温度低，污染小，设备简单，适合多种基底表面，可以显著提高薄膜的结晶度和改善薄膜的光电等性能。

主权项

1、一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法，其特征在于硫族半导体薄膜的水热处理方法分为三个步骤：(1)、将不同质量的Na2S、Na2SeSO3与水加入到容器中，搅拌5-30分钟，得到浓度为0.01～0.3M的均匀硫或硒离子溶液；(2)、将50～150ml的上述硫或硒离子溶液倒入水热釜，把在不同基底为玻璃、TiO2多孔基底、ZnO多孔基底、ITO玻璃、硅片上用化学浴、连续离子层吸附反应法、电沉积法这些软化学法沉积的硫族半导体薄膜为MnS、CdS、PbS、CuInS2、CuInSe2垂直放入到该溶液中，应保证溶液完全没过所需处理的薄膜表面；(3)、将水热釜加热到160-240℃，并保温10-120分钟，待水热釜在室温下冷却后即可取出薄膜。