[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910010411.8 | 申请日： | 2009-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101807633A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 柯志杰;王强;武胜利;肖志国;陈向东 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片及其制作方法，该芯片结构从下至上依次包括衬底、n型GaN层、p型GaN层、欧姆接触层、氮氧化硅膜层和打线电极，其特征是SiOxNy膜层由1～7层、单层折射率渐变的SiOxNy膜构成。本发明采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法，在欧姆接触层上形成一组氮氧化硅膜层，反应气体包含SiH4、NH3和N2O，通过控制气体的流量，使SiOxNy膜层中的x值增大而y值减小，从而形成一组折射率渐变的SiOxNy膜。通过这组折射率渐变得SiOxNy膜层，可以缓冲原本巨大的折射率差异，减少全反射现象的发生，从而达到增加出光的目的，因此大大提高了器件的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其结构从下至上依次包括：衬底、N型氮化镓层、P型氮化镓层、欧姆接触层和打线电极，其特征在于，在欧姆接触层上具有一组1～7层的氮氧化硅膜；在所述的一组氮氧化硅膜上具有或者不具有一层二氧化硅膜；其中所述的氮氧化硅膜的单层成膜厚度为575～![]()
单层折射率为1.5～2.0，所述的二氧化硅膜的成膜厚度为![]()
折射率为1.47。
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