[发明专利]一种在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法无效
| 申请号： | 200910010565.7 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101823900A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周延春;何灵峰;包亦望 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于表面工程技术，具体地说是一种在锆铝碳(Zr2Al3C4和Zr3Al3C5)陶瓷表面形成硅化物涂层的方法。该方法用硅粉和氟化钠粉混合而成的固体粉末混合物为渗料，将锆铝碳陶瓷材料包埋在渗料中，在惰性气体保护下，以5～30℃/min的升温速度、在900～1300℃条件下、保温0.5～5小时，进行热扩散处理，然后炉冷至室温，即在样品表面形成以二硅化锆-碳化硅涂层。相同氧化条件下涂层的氧化增重比锆铝碳陶瓷材料氧化增重降低了1-2个数量级，表明通过表面渗硅的方法可以极大地提高锆铝碳陶瓷材料的抗氧化性能。本发明将大大提高锆铝碳陶瓷材料的使用效率并拓宽其应用范围，使涂层具有极高的抗氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锆铝碳 陶瓷 表面 形成 硅化物 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法，其特征在于：用硅粉和氟化钠粉混合而成的固体粉末混合物为渗料，将锆铝碳陶瓷材料包埋在渗料中，在惰性气体保护下，以5～30℃/min的升温速度、在900～1300℃条件下、保温0.5～5小时，进行热扩散处理，然后炉冷至室温，即在样品表面形成以二硅化锆-碳化硅涂层。
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