[发明专利]深紫外非晶透明导电膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910018427.3 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101661810A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 闫金良;刘建军;石亮;张易军;谢万峰 | 申请（专利权）人： | 鲁东大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;B32B9/04;B32B7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264025山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深紫外非晶透明导电膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。该深紫外非晶透明导电膜在远紫外光学石英玻璃衬底上依次设有Ga2O3层、金属Al导电层和Ga2O3层。Ga2O3层厚20-34nm，金属Al层厚度4.5-13.5nm。在基板温度为室温的条件下，用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶制备Ga2O3层，氩气压强0.2-2Pa，溅射功率30-200W；用直流磁控溅射金属Al靶制备金属Al层，溅射电流80-150mA，溅射电压200-400V，氩气压强0.2-2Pa。所制备的薄膜在深紫外光区域具有透射率高等优良的光学和电学性能。本发明方法获得的薄膜在紫外光电器件等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 外非晶 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种深紫外非晶透明导电膜，其特征在于是一种Ga2O3/Al/Ga2O3多层结构，金属Al层厚度4.5nm-13.5nm，Ga2O3单层厚度20nm-34nm。
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