[发明专利]6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片无效
| 申请号： | 200910020391.2 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101540360A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;夏伟;苏建 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片及其制作工艺。反极性AlGaInPLED芯片包括基底和基底上的外延层，以6H-SiC材料作为基底，外延层由上至下依次为N型AlGaInP层、发光层、P型AlGaInP层、P型GaP层和金属反射层及粘结层，在N型AlGaInP层上设置N型电极，在6H-SiC基底的底面或金属反射层及粘结层上设置P型电极。其制作工艺是在6H-SiC表面上蒸镀一层金属反射及粘接层，将外延层与6H-SiC基底粘接在一起，再用选择腐蚀的方法将原GaAs衬底腐蚀剥离掉，经蒸镀、刻蚀等工艺形成电极制成管芯。本发明以高热导率的6H-SiC材料为基底，将LED发光层从GaAs上转移到6H-SiC基底上，可改善产品高温特性，提高产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | sic 基底 极性 algainp led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片，包括基底和基底上的外延层，其特征是：以6H-SiC材料作为基底，外延层由上至下依次为N型AlGaInP层、发光层、P型AlGaInP层、P型GaP层和金属反射及粘结层，在N型AlGaInP层上设置N型电极，在6H-SiC基底的底面或金属反射及粘结层上设置P型电极。金属反射及粘结层包括一层粘接层和一个金属反射镜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子有限公司，未经山东华光光电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910020391.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高线性LINC发射机
- 下一篇：场发射电子源的制备方法
