[发明专利]提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法无效
| 申请号： | 200910020824.4 | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101458982A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李盛涛;黄奇峰;孙健;李建英;焦兴六 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01B17/42 | 分类号： | H01B17/42;H01B17/50;H01B3/02;H01B19/00;G01R31/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法，先将半结晶聚合物介质制成类圆台形试样；再对加工好类圆台形试样放入烘箱中加热，使其达到接近熔融状态的温度，至少保温10分钟；然后对加热好的试样进行热处理，包括-56℃--25℃淬火或0.5-1.0℃/min慢速降温。本发明通过对半结晶聚合物绝缘介质进行热处理，改变了半结晶聚合物绝缘介质的聚集态结构(结晶度和晶粒尺寸)，显著提高了其真空沿面闪络电压，可以广泛应用于电气、航天、武器等多个领域。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 结晶 聚合物 绝缘 介质 真空 沿面闪络 电压 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法，其特征在于，包括下述步骤：第一步，先将半结晶聚合物绝缘介质制成类圆台形试样；第二步，将加工好的类圆台形试样放入烘箱中加热，使其接近熔融状态的温度，至少保温10分钟；第三步，对加热好的试样进行热处理，采用-56℃～-25℃淬火或0.5～1.0℃/min慢速降温。
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