[发明专利]变介电常数-电阻率的复合有机绝缘结构及制备方法无效
| 申请号： | 200910020857.9 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101477857A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李盛涛;黄奇峰;倪凤燕;李建英;焦兴六 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01B17/60 | 分类号： | H01B17/60;H01B17/50;H01B3/44 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种变介电常数-电阻率的复合有机绝缘结构及制备方法，在聚乙烯基体两端面通过热压的方法平面联接有半导电料与聚乙烯的复合材料层。制备方法包括下述步骤：1)采用常规有机材料工艺制备聚乙烯基体；2)按质量百分比将聚乙烯料10～99％、半导电料1～90％配料，经混合、热压制成复合材料片；3)将半导电料-聚乙烯复合材料片与聚乙烯基体分别打磨平整后热压在一起，形成半导电料-聚乙烯+聚乙烯+半导电料-聚乙烯三层绝缘结构。本发明的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 电阻率 复合 有机 绝缘 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种变介电常数-电阻率的复合有机绝缘结构，包括聚乙烯基体，其特征在于，所述聚乙烯基体两端面通过热压平面联接有复合材料片，该复合材料片按质量百分比，由1～90％半导电料和10～99％的聚乙烯制成。
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