[发明专利]一种抗地弹效应的输出电路有效
| 申请号： | 200910021080.8 | 申请日： | 2009-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101488743A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 苏强;刘文平;吴龙胜;唐威 | 申请（专利权）人： | 中国航天时代电子公司第七七一研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710054*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有抗地弹效应的输出电路，其特征在于，使用PMOS阈值电压调整电路(105)调整PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压，使用NMOS阈值电压调整电路(106)调整NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压。输出电路的输出由高电平向低电平转换时，PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压增大，NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压减小，从而减小下拉电路的变化率，减小地线上的地弹效应，并降低功耗和下拉延迟；输出电路的输出由低电平向高电平转换时，PMOS输出晶体管(101)、(102)的阈值电压减小，NMOS输出晶体管(103)、(104)的阈值电压增大，从而减小上拉电路的变化率，减小电压线上的地弹效应，并降低功耗和上拉延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 效应 输出 电路 | ||
【主权项】：
1. 一种抗地弹效应的输出电路，包括连接预驱动电路上节点(G)的第一PMOS晶体管(101)、连接预驱动电路下节点(F)的第一NMOS晶体管(103)，第一PMOS晶体管(101)通过反相器与第二PMOS晶体管(102)连接；第一NMOS晶体管(103)通过反相器与第二NMOS晶体管(104)连接，其特征在于，所述第一PMOS晶体管(101)的体区、第二PMOS晶体管(102)的体区分别连接有PMOS阈值电压调整电路(105)；所述第一NMOS晶体管(103)的体区、第二NMOS晶体管(104)的体区分别连接有NMOS阈值电压调整电路(106)；PMOS阈值电压调整电路(105)和NMOS阈值电压调整电路(106)在预驱动电路上、下节点(F)、(G)由低电平转换为高电平时，使第一、第二PMOS晶体管(101)、(102)的阈值电压减小，第一、第二NMOS晶体管(103)、(104)的阈值电压增大；在预驱动电路上、下节点(F)、(G)由高电平转换为低电平时，使第一、第二PMOS晶体管(101)、(102)的阈值电压增大，第一、第二NMOS晶体管(103)、(104)的阈值电压减小，从而实现输出电路的抗地弹效应，并减小功耗和延迟。
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