[发明专利]一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910021093.5 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101483192A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 李尊朝;尤一龙;张瑞智;蒋耀林 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件，包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区，沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形的环状的介质层，所述槽形开口向上，所述介质层的槽内设置有环状的栅导电层，所述介质层的槽外设置有环状的漏导电层，所述介质层的槽外底部与所述半导体衬底接触，所述沟道区上设置有源导电层，其圆柱形上部掺n+杂质作为源端n+区，与漏导电层底部接触的半导体衬底区域掺n+杂质作为漏端n+区，其特征在于，所述沟道区的圆柱形中部设置有非对称Halo掺杂结构p+区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直围栅MOSFET器件，包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区，沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形的环状的介质层，所述槽形开口向上，所述介质层的槽内设置有环状的栅导电层，所述介质层的槽外设置有环状的漏导电层，所述介质层的槽外底部与所述半导体衬底接触，所述沟道区上设置有源导电层，其圆柱形上部掺n+杂质作为源端n+区，与漏导电层底部接触的半导体衬底区域掺n+杂质作为漏端n+区，其特征在于，所述沟道区的圆柱形中部设置有非对称Halo掺杂结构p+区。
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