[发明专利]AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件及制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-AlGaN势垒层、有源区、p-AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层、p型GaN冒层，以及在p型GaN冒层设有的窗口区。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至低Al组分的p-AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，其后对其进行光辅助湿法刻蚀，将柱状出射光窗口变为类半球状窗口，在增大了窗口的出射孔径的同时，又能使窗口区的材料表面得到了粗化，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于水处理，医疗、生物医学场合以及白光照明中。

主权项

1.一种AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件，包括AlN成核层、本征AlGaN外延层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层、低Al组分p型AlGaN层和p型GaN冒层，其特征在于p型GaN冒层的中心刻蚀有类似于半球状窗口区(W)，用于控制光从顶部p型GaN冒层发出，提高出射光强。