[发明专利]微机电系统的温度参数化降阶建模方法无效
申请号: | 200910022027.X | 申请日: | 2009-04-15 |
公开(公告)号: | CN101567018A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 苑伟政;张亚飞;常洪龙;徐景辉 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;B81C5/00 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 | 代理人: | 夏维力 |
地址: | 710072陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种微机电系统的温度参数化降阶建模方法,属微机电系统设计与模型降阶领域。该方法包括以下步骤:提取质量、刚度、温度应力刚度矩阵,建立与温度相关的二阶动力学方程;构造正交映射矩阵V;将原二阶动力学方程投影到正交映射矩阵V所在的子空间上,从而得到温度参数化的低阶模型。该降阶方法通过降阶算法可以使原始模型的自由度规模大幅缩减,从而使基于降阶模型的系统级建模与仿真速度加快。同时,采用矩匹配原理,可以使降阶模型与原始模型的传递函数较好近似,从而有较高的精度。在降阶过程中,可以生成与参数无关的投影矩阵,最终使原系统中温度参数在低阶模型中得以保留。 | ||
搜索关键词: | 微机 系统 温度 参数 化降阶 建模 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微机电系统的温度参数化降阶建模方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:第一步:提取质量、刚度、温度应力刚度矩阵,建立与温度相关的二阶动力学方程:ρM x · · ( t ) + D x · ( t ) + [ E 0 ( 1 + TC E ΔT ) K + E 0 ( 1 + TC E ΔT ) TC h ΔTS ] x ( t ) = B d + ETC h Δ TB t y ( t ) = L T x ( t ) - - - ( 1 ) ]]> 其中,t为时间变量,x(t)状态空间变量,M,D,K和S分别代表质量、阻尼、刚度、温度应力刚度矩阵;Bd为驱动力载荷分布,Bt为热载荷分布矩阵;y(t)为输出向量,L为输出矩阵;参数ρ,E0,TCh,TCE,ΔT分别为材料密度、常温下的杨氏模量、热扩散系数、杨氏模量的热系数、温度变化量;第二步:构造正交映射矩阵V:首先构造映射矩阵V1和V2:colspan { V 1 } = K r 1 ( K - 1 M , K - 1 B ) - - - ( 2 ) ]]>colspan { V 2 } = K r 2 ( K - 1 S , K - 1 B ) - - - ( 3 ) ]]> 其中,矩阵B为输入向量的组合,即B=Bd+Bt;
i=1,2指的是ri阶Krylov子空间,n阶Krylov子空间Kn(A,B)定义为:Kn(A,B)=colspan{B,AB,A2B,...,An-1B}接下来应用Arnoldi算法对映射矩阵V1、V2进行正交化,然后计算V1、V2的并集:V ^ = V 1 ∪ V 2 - - - ( 4 ) ]]> 最后对
中所有列向量经正交化处理后得到映射矩阵V。第三步:将方程(1)投影到正交映射矩阵V所在的子空间上,从而得到温度参数化的低阶模型:ρ M r x · · r ( t ) + D r x · r ( t ) + [ E 0 ( 1 + TC E ΔT ) K r + E 0 ( 1 + TC E ΔT ) TC h Δ TS r ] x r ( t ) = B d r + ETC h Δ TB t r y ( t ) = L r T x r ( t ) - - - ( 5 ) ]]> 其中,Mr=VTMV,Dr=VTDV=αVTMV+βVTKV=αMr+βKr,Kr=VTKV,Sr=VTSV,Bdr=VTBd,Btr=VTBt,Lr=VTL。
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