[发明专利]稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种稀土掺杂SiO₂基质发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将正硅酸乙酯Si(C₂H₅O)₄溶于乙醇或丙醇中；(2)上述溶液与硼酸的乙醇或丙醇水溶液混合；(3)加入盐酸或冰乙酸调节pH值2～3；(4)将可溶性铝盐加入上述溶液中；(5)加入可溶性稀土盐；(6)陈化得溶胶，制备薄膜，将薄膜在500～1500℃煅烧得发光薄膜。本发明制备的发光薄膜表面均匀，致密无开裂，薄膜粒子大小在1-50nm，厚度可控，本发明方法工艺简单、无需真空设备、成本低、原料易得且无毒。

主权项

1、一种稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将正硅酸乙酯Si(C2H5O)4溶于乙醇或丙醇中；(2)上述溶液与硼酸的乙醇或丙醇水溶液混合；(3)调节pH值2～3；(4)将可溶性铝盐加入上述溶液中；(5)加入可溶性稀土Eu3+、Tb3+或Dy3+盐的一种或两种；(6)陈化得溶胶，制备薄膜，将薄膜在500～1500℃煅烧得发光薄膜；上述步骤中正硅酸乙酯∶硼酸∶可溶性铝盐∶稀土可溶性盐的摩尔比为1∶0.2～0.8∶0.001～0.005∶0.001～0.016。