[发明专利]铟锡氧化物导电膜图形蚀刻的蚀刻液无效
| 申请号： | 200910022387.X | 申请日： | 2009-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101550340A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 赵炜;程花蕾;吴静;李翌辉 | 申请（专利权）人： | 西安宝莱特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李 罡 |
| 地址： | 710021陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及铟锡氧化物导电膜图形蚀刻的蚀刻液。常见用于湿法蚀刻的蚀刻液存在以下问题：盐酸和硝酸水溶液(王水)蚀刻过程剧烈，难以精确控制蚀刻过程和蚀刻时间；盐酸和三氯化铁混合溶液蚀刻速度适中，反应比较稳定，蚀刻后的电极图形边缘整齐，基本无钻蚀现象，但稳定性差，容易游离出碘；三氯化铁水溶液蚀刻速度快，但侧面蚀刻量大。本发明的特征在于：所述的蚀刻液的配方为：草酸和三氯化铁水溶液，其中草酸浓度范围为0.01～5.0mol/L，三氯化铁浓度范围为0.01～5.0mol/L。本发明的蚀刻液不易挥发，稳定，蚀刻速率适中，无残留，蚀刻效果良好，且蚀刻液配方原料廉价易得，从而可有效提高ITO导电膜图形化工艺的质量和降低工业化生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 导电 图形 蚀刻 | ||
【主权项】：
1、铟锡氧化物导电膜图形蚀刻的蚀刻液，其特征在于：所述的蚀刻液的配方为：草酸和三氯化铁水溶液，其中草酸浓度范围为0.01～5.0mol/L，三氯化铁浓度范围为0.01～5.0mol/L。
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