[发明专利]表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法

摘要

本发明涉及表面传导电子发射平板显示器件技术，公开了一种表面传导电子发射平板显示器件的电子源发射源制作方法。该方法首先采用用湿法刻蚀的手段，结合局部氧化工艺在110面单晶硅片表面制作氧化硅纳米线阵列，在采用溅射或喷墨打印的方法在氧化硅纳米线上制作“L”形的电子发射薄膜阵列，然后采用腐蚀氧化硅纳米线，并剥离氧化硅纳米线上的电子发射薄膜，形成纳米狭隙阵列，最后制作行、列电极即可。

主权项

1、一种表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用低压化学气相淀积工艺，在单晶硅片上淀积氮化硅层，再在氮化硅层上涂敷光刻胶层；(2)制作栅条形掩膜版，并以栅条形掩膜版为掩护，刻蚀光刻胶层，得到光刻胶栅条；再以光刻胶栅条为掩护，湿法刻蚀氮化硅层，得到氮化硅栅条；继续湿法刻蚀单晶硅片，形成U型单晶硅槽，然后化学去除氮化硅栅条上的光刻胶栅条；(3)高温氧化U型单晶硅槽，形成U型氧化硅槽；在湿法刻蚀掉氮化硅栅条，以U型氧化硅槽为掩护，湿法刻蚀单晶硅片，凸出U型氧化硅槽的两侧壁，得到氧化硅纳米线；再次高温氧化单晶硅片；(4)在氧化硅纳米线上制作“L”形的电子发射薄膜阵列，“L”形的一个臂跨越氧化硅纳米线；然后腐蚀去除氧化硅纳米线，并剥离氧化硅纳米线之上的电子发射薄膜，形成具有纳米狭缝的电子发射源阵列；最后，制作行电极和列电极。