[发明专利]一种碳纳米管同位素电池无效
| 申请号： | 200910023563.1 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101645317A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 彭振驯;贺朝会 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于同位素电池领域，特别涉及以碳纳米管为换能材料的碳纳米管同位素电池。一种碳纳米管同位素电池，在外壳内，第一电极与第二电极之间设置有绝缘封装层，在绝缘封装层的下部设置有P型碳纳米管宏观体，在P型碳纳米管宏观体的下面设置有N型硅，在N型硅与最底层的第二电极之间为高掺杂浓度的N型硅。本发明的碳纳米管作为换能结构材料，也作为电池燃料的加载材料。不仅能提高电池的比功率，还解决了在辐生伏特同位素电池制作过程遇到的放射性同位素加载的问题。P型碳纳米管有自我修复能力，可以提高电池的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 同位素 电池 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管同位素电池，其特征在于：在绝缘外壳(7)内，第一电极(1)与第二电极(6)之间设置有绝缘封装层(2)，在绝缘封装层(2)的下部设置有P型碳纳米管宏观体(3)，在P型碳纳米管宏观体(3)的下面设置有N型硅(4)，在N型硅(4)与最底层的第二电极(6)之间为相对于N型硅(4)为高掺杂浓度的N型硅(5)。
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