[发明专利]微功耗电压基准电路无效
申请号: | 200910023590.9 | 申请日: | 2009-08-14 |
公开(公告)号: | CN101667049A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 刘成;魏廷存;孙井龙 | 申请(专利权)人: | 西安龙腾微电子科技发展有限公司 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 | 代理人: | 黄毅新 |
地址: | 710077陕西省西安市高新区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种微功耗电压基准电路,包括一个耗尽型NMOS晶体管M2、一个增强型NMOS晶体管M5、一个增强型NMOS晶体管M3以及电阻R2。该电路功耗极低,结构简单,节省芯片面积。电路不需要启动电路,耗尽型NMOS晶体管M2在VGS=0的情况下即导通,可提供极小的恒定电流(nA级),该电流流经增强型NMOS晶体管M5,在增强型NMOS晶体管M5上产生恒定的栅-源电压,该电压即为电压基准。电路消耗极低电流(约850nA),可满足低功耗设计的要求。 | ||
搜索关键词: | 功耗 电压 基准 电路 | ||
【主权项】:
1、一种微功耗电压基准电路,增强型NMOS晶体管M5,电阻R2,其特征在于,还包括耗尽型NMOS晶体管M2、增强型NMOS晶体管M3,耗尽型NMOS晶体管M2的漏极连接正电源VDD,栅极连接源极,源极连接增强型NMOS晶体管M5的漏极,衬底连接源极,增强型NMOS晶体管M5的栅极连接电阻R2的上端,源极连接负电源VSS,衬底连接源极,增强型NMOS晶体管M3的漏极连接正电源VDD,栅极连接耗尽型NMOS晶体管M2的栅极,源极连接电阻R2的上端,衬底连接源极,电阻R2的下端连接负电源VSS。
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