[发明专利]连续式多晶硅提纯结晶炉的加热装置

摘要

本发明涉及一种连续式多晶硅提纯结晶炉的加热装置，包括复合加热装置、温度传感器、控温仪表等。复合加热装置由炉膛侧部、上部、侧上部、侧下部布置加热元件组复合组成，长度方向多工位及高度方向温区不同功率复合控制，实现连续式定向凝固。采用上辅助加热元件组和侧部加热元件组构成，上辅助加热元件组和侧部加热元件组均由一支或数支加热元件组成的加热元件组，实现产品定向凝固所需的温度梯度的要求，上部温区温度设定1436℃～1420℃之间，下部温区温度设定随结晶界面的向上移动及结晶时间的推移逐步降低，实现多工位、多温区控制。在连续式炉中实现定向凝固，有利于多晶硅提纯合格率的提高及成本的降低，具有重大意义。

主权项

一种连续式多晶硅提纯结晶炉的加热装置，它包括复合加热装置、温度传感器、控温仪表组成，其特征在于：复合加热装置采用炉膛侧部布置、上部布置、侧上部布置、侧下部布置加热元件组复合组成方式，采用长度方向多工位控制及高度方向上下温区不同功率复合控制，实现连续式定向凝固，在结晶区的数个工位的每个工位上下设置两个单独的温区，分别控制，复合加热装置采用上辅助加热元件组(1)和炉膛侧部加热元件组(2)构成，上辅助加热元件组(1)由一支或数支由加热元件组成的加热元件组，采用炉膛上部布置加热元件组或炉膛侧上部布置加热元件组方式；炉膛侧部加热元件组(2)同样由一支或数支加热元件组成的加热元件组，采用炉膛侧部布置加热元件组或炉膛侧下部布置加热元件组方式，实现产品由下而上的定向凝固所需要的同一截面上下温度梯度的要求，上部温区温度设定为1436℃～1420℃之间，下部温区温度设定随结晶界面的向上移动及结晶时间的推移逐步降低，形成多工位、多温区控制。