[发明专利]一种生长碘化汞单晶体的立式炉及该晶体的生长方法无效
| 申请号： | 200910023947.3 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101649487A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 许岗;李高宏;介万奇;夏峰;王喜锋;王春景 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及碘化汞(α-HgI2)单晶体生长技术领域，具体指一种生长碘化汞(HgI2)单晶体立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法。本发明为解决现有技术存在的温控系统复杂、生产成本高、需要籽晶及加工造成的单晶体损伤较大的问题，现采用的技术方案是：一种生长碘化汞单晶体的立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法，在炉体底板上依次套设筒状的石英真空保温层和炉膛，并用隔热圈将炉膛与石英真空保温层之间的柱状腔体分隔成上腔体和下腔体，在上下腔体内内分别设置加热装置，炉膛内设置生长安瓿，炉体底板外部设置调整机构。与现有技术相比，本发明具有以下优点和效果：1.结构简单；2.生产成本低；3.单晶体利用率高；4.设备功能多。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 碘化 单晶体 立式 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生长碘化汞单晶体的立式炉，包括炉体底板(6)，在炉体底板(6)上设置筒状的石英真空保温层(1)和炉膛(8)，炉膛(8)套设于石英真空保温层(1)的内部，炉膛(8)与石英真空保温层(1)之间的柱状腔体中部设置有隔热圈(9)，柱状腔体被隔热圈(9)分隔出的上腔体(3)和下腔体(4)，上腔体(3)和下腔体(4)内分别设置有两套加热器，炉膛(8)和上腔体(3)的上部设置有密封盖(12)；所述炉体底板(6)中心活动穿设有金属支杆(7)，金属支杆(7)位于炉膛(8)内的一端上设置有生长安瓿(11)，生长安瓿(11)的选晶端位于下部，生长安瓿的两端外侧设置有热电偶(13)，金属支杆(7)位于炉体底板(6)外侧的一端设置有调整机构(15)，该调整机构(15)包括旋转组件和升降组件。
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